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HMC1114PM5E

Name: Analog Devices Inc. HMC1114PM5E
Brand: Analog Devices
SKU: 584-HMC1114PM5E
Price: 142.76 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

584-HMC1114PM5E

N° de fab. :

HMC1114PM5E

Fab. :

Analog Devices

Description :

Amplificateur RF GaN Driver Ampllifier

Fiche technique:

HMC1114PM5E Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	142,76 €	142,76 €
	126,03 €	1 260,30 €
	120,26 €	3 006,50 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Analog Devices Inc.
Catégorie du produit:	Amplificateur RF
RoHS:
Fréquence de fonctionnement:	2.7 GHz to 3.8 GHz
Tension d'alimentation de fonctionnement:	28 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	150 mA
Gain:	35 dB
Type:	Power Amplifiers
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFCSP-32
Technologie:	GaN
P1dB - Point de compression:	41.5 dBm
OIP3 - Point d'intersection du 3e ordre:	44 dBm
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	HMC1114
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Analog Devices
Affaiblissement d'équilibrage d'entrée:	25 dB
Sensibles à l’humidité:	Yes
Nombre de canaux:	1 Channel
Pd - Dissipation d’énergie :	24 W
Type de produit:	RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Fréquence de test:	2.7 GHz to 3.2 GHz

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Fiche technique

HMC1114PM5E Fiche technique (PDF)

PCN

RoHS Certificate (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8542330000
CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Taïwan
Pays de diffusion:: États-Unis

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

HMC1114 Power Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC1114 Power Amplifiers are designed as gallium nitride (GaN) broadband amplifiers. The HMC1114 amplifiers deliver 10W with greater than 50% power added efficiency (PAE) and ±0.5dB typical gain flatness across a 2.7GHz to 3.8GHz bandwidth. The amplifiers can achieve a 41.5dBm P_SAT from a 28V at 150mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a typical 35dB signal gain, 25.5dB high-power gain for saturated output power, and a typical 44dBM IP3. Analog Devices Inc. HMC1114 power amplifiers are ideal for pulsed and continuous wave applications. These applications include wireless infrastructure, radars, public mobile radios, and general-purpose amplification.

Solutions RF

Analog Devices offers components that cover the complete high speed and RF signal chain. The portfolio enables design engineers to develop platform electronic test and measurement systems that have best-in-class performance and low cost of test and ownership across an ever increasing frequency range from DC to > 100GHz and beyond. As the preeminent supplier of data converters, RF and microwave ICs, Analog Devices provides more than 2,000 high performance products across the entire frequency spectrum.
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