IXTH80N20L

IXYS
747-IXTH80N20L
IXTH80N20L

Fab. :

Description :
MOSFET Standard Linear Power MOSFET

Modèle de ECAO:
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En stock: 573

Stock:
573 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
29 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
17,04 € 17,04 €
10,71 € 107,10 €
10,70 € 1 284,00 €
10,41 € 5 309,10 €
10,28 € 10 485,60 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
200 V
80 A
32 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
180 nC
- 55 C
+ 150 C
520 W
Enhancement
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 29 ns
Transconductance directe - min.: 30 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 44 ns
Série: IXTH80N20
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 72 ns
Délai d'activation standard: 29 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.