Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IMBG120R078M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG120R078M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG120R078M2HXT
Price: 6.76 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IMBG120R078M2HXT

N° de fab. :

IMBG120R078M2HXTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Fiche technique:

IMBG120R078M2HXTMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IMBG120R078M2HXTMA1

En stock: 1 211

Stock:: 1 211 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 30 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,76 €	6,76 €
	4,58 €	45,80 €
	3,35 €	335,00 €
	3,27 €	1 635,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	3,05 €	3 050,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	78.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 7 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.1 V
Qg - Charge de grille:	20.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	158 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	2 ns
Transconductance directe - min.:	4.1 s
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	13.4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	3.4 ns
Délai d'activation standard:	2 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMBG120R078M2H -

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IMBG120R078M2HXTMA1 Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET CoolSiC ™ 1 200 V en carbure de silicium G2

Les MOSFET en carbure de silicium 1 200 V CoolSiC™ G2 d’Infineon Technologies offrent des solutions hautes performances pour les applications d’électronique de puissance. Ces MOSFET démontrent d’excellentes caractéristiques électriques et présentent de très faibles pertes de commutation permettant une exploitation efficace. Les MOSFET 1 200 V G2 sont conçus pour les conditions de surcharge, prenant en charge l’exploitation jusqu’à 200 °C et peuvent supporter des court-circuits jusqu’à 2 µs. Ces dispositifs disposent d’une tension de seuil de grille de référence de 4,2 V V_GS(th) et garantissent un contrôle précis. Le MOSFET CoolSiC 1 200 V G2 est disponible en trois boîtiers qui s’appuient sur les atouts de la technologie Generation 1 pour fournir des solutions avancées pour des systèmes plus optimisés en termes de coûts, efficaces, compacts, faciles à concevoir et fiables. La Generation 2 améliore considérablement les indicateurs clés de mérite pour les topologies à commutation dure/douce, idéales pour toutes les combinaisons courantes d’étages CC-CC, CA-CC et CC-CA.

MOSFET au carbure de silicium CoolSiC™ G2

Les MOSFET en carbure de silicium CoolSiC™ G2 d’Infineon Technologies offrent un excellent niveau de performance SiC tout en répondant aux normes de qualité les plus élevées dans toutes les combinaisons de schémas de puissance courantes (CA-CC, CC-CC et CC-CA). Les MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent des performances supplémentaires pour les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage d'énergie, la charge des véhicules électriques, les alimentations et les entraînements de moteurs, par rapport aux alternatives au silicium. Les MOSFET CoolSiC G2 d'Infineon font progresser davantage la technologie d’interconnexion XT unique (par exemple, dans des boîtiers discrets TO-263-7, TO-247-4) qui relève le défi courant d’améliorer les performances des puces semi-conducteurs tout en maintenant une capacité thermique. La capacité thermique G2 est meilleure de 12 %, améliorant ainsi les facteurs de mérite de la puce pour atteindre un niveau robuste de performances SiC.