IPW60R037CSFDXKSA1

Infineon Technologies
726-IPW60R037CSFDXKS
IPW60R037CSFDXKSA1

Fab. :

Description :
MOSFET HIGH POWER_NEW

Modèle de ECAO:
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En stock: 187

Stock:
187 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
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Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
9,06 € 9,06 €
5,37 € 53,70 €
4,55 € 455,00 €
4,45 € 2 136,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
54 A
37 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
136 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
Tube
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 6 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 30 ns
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 196 ns
Délai d'activation standard: 53 ns
Raccourcis pour l'article N°: IPW60R037CSFD SP001927820
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Autriche
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

IPW60R037CSFD CoolMOS™ Superjunction MOSFET

Infineon Technologies IPW60R037CSFD CoolMOS™ Superjunction MOSFET is optimized to address the off-board EV-charging market segment. The device has a low gate charge (Qg) and improved switching behavior with high efficiency. The device features an integrated fast body diode that tremendously reduces reverse recovery charge (Qrr), leading to high reliability in resonant topologies. Infineon IPW60R037CSFD meets efficiency and reliability standards of off-board EV charging and supports high-power density solutions.