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IRG4PH50UPBF

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N° Mouser :

942-IRG4PH50UPBF

N° de fab. :

IRG4PH50UPBF

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

IGBTs 1200V ULTRAFAST 5-40KHZ DSCRETE IGBT

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IRG4PH50UPBF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

IGW25N120H3FKSA1

Description :

IGBTs IGBT PRODUCTS

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	IGBTs
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	3.7 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	45 A
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Courant de collecteur continu Ic max.:	45 A
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	400
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	38 g