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ISC078N12NM6ATMA1

Name: Infineon ISC078N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC078N12NM6ATMA
Price: 2.79 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-ISC078N12NM6ATMA

N° de fab. :

ISC078N12NM6ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET >100-150V

Fiche technique:

ISC078N12NM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,79 €	2,79 €
	1,81 €	18,10 €
	1,26 €	126,00 €
	1,02 €	510,00 €
	0,989 €	989,00 €
	0,955 €	2 387,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,929 €	4 645,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SuperSO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	85 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.1 V
Qg - Charge de grille:	21 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	4.5 ns
Transconductance directe - min.:	27
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3.2 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	10.8 ns
Délai d'activation standard:	7.4 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC078N12NM6 -