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S29GL01GS10DHSS20

Name: Infineon S29GL01GS10DHSS20
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S29GL01GS10DHSS2
Price: 12.15 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

727-S29GL01GS10DHSS2

N° de fab. :

S29GL01GS10DHSS20

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Flash NOR PNOR

Fiche technique:

S29GL01GS10DHSS20 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Flash NOR
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	FBGA-64
Série:	S29GL01G/512/256/128S
Taille de la mémoire:	1 Gbit
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Courant de lecture actif maximal:	60 mA
Type d'interface:	Parallel
Organisation:	64 M x 16
Largeur du bus de données:	16 bit
Type de chronométrage:	Asynchronous
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	NOR Flash
Vitesse:	100 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2600
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Nom commercial:	MirrorBit

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Fiche technique

S29GL01GS10DHSS20 Fiche technique (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

Codes de conformité

TARIC:: 8542326100
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 854232039
KRHTS:: 8542321090
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.1.a

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Non disponible
Pays d'origine de l'assemblage:: Thaïlande
Pays de diffusion:: Chine

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash

Infineon Technologies S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash products are fabricated on 65nm process technology. These devices offer a fast page access time - as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. MIRRORBIT Eclipse™ Flash non-volatile memory is a CMOS 3V core with versatile I/O interface. Infineon S29 GL-S MIRRORBIT Eclipse™ Flash features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This results in faster effective programming time than standard programming algorithms. Programming time makes the S29 GL-S flash ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.