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RA1C030LDT5CL

Name: ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RA1C030LDT5CL
Price: 0.43 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RA1C030LDT5CL

N° de fab. :

RA1C030LDT5CL

Description :

MOSFET

Cycle de vie:

Nouveau produit: Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

RA1C030LDT5CL Fiche technique

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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	0,37 €	3,70 €
	0,276 €	27,60 €
	0,218 €	109,00 €
	0,168 €	168,00 €
	0,153 €	382,50 €
	0,134 €	1 340,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 15000)
	0,127 €	1 905,00 €

Caractéristiques

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:	Détails
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WLCSP-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	190 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 200 mV, + 7 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	1.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 50 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFET
Temps de montée:	6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	15000
Sous-catégorie:	MOSFETs
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	6 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RA1C030LD

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Conformité des produits

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Le MOSFET WLCSP RA1C030LD de ROHM Semiconductor est un MOSFET à canal N conçu avec une faible résistance à l'état passant et un boîtier à haute puissance. Ce composant dispose d'une tension drain-source de 20 V_DSS, d'un courant de drain continu de 3 A et d'une dissipation d'énergie de 1 W. Le MOSFET RA1C030LD offre une tension d'entraînement de 1,8 V, une protection contre les décharges électro-statiques (DES) jusqu'à 200 V (MM) et jusqu'à 2 kV (HBM). Ce MOSFET est adapté aux circuits de commutation, aux applications de batterie à cellule unique et aux applications mobiles. Le MOSFET RA1C030LD est un dispositif sans Pb, sans halogène et conforme à la directive RoHS.

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