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STGW30M65DF2

Name: STMicroelectronics STGW30M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW30M65DF2
Price: 3.31 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STGW30M65DF2

N° de fab. :

STGW30M65DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

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Fiche technique:

STGW30M65DF2 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,31 €	3,31 €
	1,81 €	18,10 €
	1,48 €	148,00 €
	1,24 €	744,00 €
	1,23 €	1 476,00 €
	1,19 €	3 570,00 €
	1,16 €	6 264,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.55 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	60 A
Pd - Dissipation d’énergie :	258 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGW30M65DF2
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	60 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	4,430 g