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TSM60N1R4CP ROG

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N° Mouser :

821-TSM60N1R4CPROG

N° de fab. :

TSM60N1R4CP ROG

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

MOSFET 600V, 3.3A, Single N-Channel Power MOSFET

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

TSM60N1R4CP ROG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fab. :

Taiwan Semiconductor

N° de fab. :

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Description :

MOSFET 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	3.3 A
Rds On - Résistance drain-source:	880 mOhms
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	7.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	38 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Taiwan Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	20 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	14 ns
Poids de l''unité:	330 mg