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SUD35N10-26P-GE3

Name: Vishay SUD35N10-26P-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SUD35N10-26P-GE3
Price: 1.94 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

781-SUD35N10-26P-GE3

N° de fab. :

SUD35N10-26P-GE3

Description :

MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

Fiche technique:

SUD35N10-26P-GE3 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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En stock: 19 594

Stock:: 19 594 Expédition possible immédiatement

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Délai usine :: 40 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Minimum : 1 Multiples : 1

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,94 €	1,94 €
	1,62 €	16,20 €
	1,29 €	129,00 €
	1,19 €	297,50 €
	1,08 €	540,00 €
	0,93 €	930,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	0,93 €	1 860,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

SUD35N10-26P-BE3

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,94 €

Min.:

Caractéristiques

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:	Détails
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	35 A
Rds On - Résistance drain-source:	26 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	47 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Série:	SUD
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Type de produit:	MOSFET
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	MOSFETs
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SUD35N10-26P-BE3
Poids de l''unité:	330 mg

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Attributs sélectionnés: 0

Commentaire Produit

                    
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
further assistance 
5-0321-7

Documents (1)

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Fiche technique

SUD35N10-26P-GE3 Fiche technique (PDF)

Tous les détails

Moins de détails

Documents environnementaux

REACH Certificate (PDF)

Conformité des produits

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Les MOFSET TrenchFET^® de Vishay / Siliconix sont dotés d'une technologie silicium à canaux P et N permettant à ces composants de fournir d'excellentes spécifications de résistance à l'état passant de 1,9 mΩ dans le PowerPAK^® SO-8. Ces MOSFET ont une résistance à l'état passant pouvant descendre à la moitié du niveau des nouveaux meilleurs dispositifs sur le marché. Les MOSFET à canal N offrent une plage de tension de rupture drain-source de 40 V à 250 V, une dissipation d'énergie nominale de 375 W et une puissance ThunderFET en fonction du modèle. Les MOSFET à canal P disposent de jusqu'à 2 canaux, d'un montage CMS et traversant et d'une plage de tension de rupture drain-source de 12 V à 200 V.

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