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4N38VM

Name: onsemi 4N38VM
Brand: onsemi
SKU: 512-4N38VM
Price: 0.6 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

512-4N38VM

N° de fab. :

4N38VM

Fab. :

onsemi

Description :

Optocoupleurs de sortie de transistor 6PW HVCEO TR DIP VDE

Fiche technique:

4N38VM Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,602 €	0,60 €
	0,418 €	4,18 €
	0,305 €	30,50 €
	0,255 €	127,50 €
	0,237 €	237,00 €
	0,224 €	448,00 €
	0,188 €	940,00 €
	0,181 €	1 810,00 €
	0,175 €	4 375,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Optocoupleurs de sortie de transistor
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	DIP-6
Nombre de canaux:	1 Channel
Tension d'isolation:	4170 Vrms
Type de sortie:	NPN Phototransistor
Taux de transfert de courant - Min:	20 %
If - Courant direct:	80 mA
Vf - Tension directe:	1.5 V
Tension de l'émetteur du collecteur max.:	80 V
Courant du collecteur max.:	100 mA
Tension de saturation de l'émetteur du collecteur max.:	1 V
Vr - Tension inverse:	6 V
Pd - Dissipation d’énergie :	420 mW
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 100 C
Série:	4N38M
Conditionnement:	Bulk
Marque:	onsemi
Configuration:	1 Channel
Coefficient de transfert de courant:	20 %
Type de produit:	Transistor Output Optocouplers
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Optocouplers
Poids de l''unité:	400 mg

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Fiche technique

4N38VM Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541490000
CNHTS:: 8541490000
CAHTS:: 8541490020
USHTS:: 8541498000
KRHTS:: 8541409029
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:: Thaïlande
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

4N38xM 6-Pin DIP Phototransistor Optocouplers

onsemi / Fairchild 4N38xM 6-Pin DIP High Voltage Phototransistor Optocouplers are designed as phototransistor-type optically coupled optoisolators. The 4N38xM series features a gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The devices have a UL 1577 safety and regulatory approval of 4,170VAC RMS for 1 minute and are DIN-EN/IEC60747-5-5 certified at 850V peak working insulation voltage.