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BS170G

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N° Mouser :

863-BS170G

N° de fab. :

BS170G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 60V 500mA N-Channel

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

BS170G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-92-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	500 mA
Rds On - Résistance drain-source:	5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	350 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Bulk
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Transconductance directe - min.:	0.2 S
Type de produit:	MOSFETs
Série:	BS170
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	453,600 mg

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Fiche technique

BS170G Fiche technique

EOL

2Q2014 Product Discontinuance Notice (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

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