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FFSH3065A

Name: onsemi FFSH3065A
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH3065A
Price: 7.7 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

863-FFSH3065A

N° de fab. :

FFSH3065A

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC 650V 30A SIC SBD

Fiche technique:

FFSH3065A Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	30 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.5 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	150 A
Ir - Courant inverse:	200 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSH3065A
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Pd - Dissipation d’énergie :	259 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	650 V
Poids de l''unité:	5,321 g

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Fiche technique

FFSH3065A Fiche technique

PCN

Codes de conformité

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FFSH SiC Schottky Diodes

onsemi FFSH Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide improved system efficiency and have a max junction temperature of +175°C. These onsemi Schottky Diodes have no switching loss and a high surge current capacity. FFSH diodes use Silicon Carbide semiconductor material for higher operating frequency, increasing power density and reduction of system size/cost. This ensures high reliability and robust operation during surge or over-voltage conditions.

Dispositifs SiC à large bande interdite

Les dispositifs au carbure de silicium (SiC) à large bande interdite (WBG) d'onsemi intègrent une toute nouvelle technologie qui assure des performances de commutation et une fiabilité meilleures que celles du silicium. Le système bénéficie d'un rendement le plus élevé, d'une fréquence de fonctionnement plus rapide, d'une densité de puissance accrue, d'une réduction des EMI et de la taille et du coût du système. Le portefeuille SiC d'onsemi’ comprend des diodes 650 V et 1 200 V, des modules de puissance intégrés IGBT et à diode SiC 650 V et 1 200 V et des dispositifs homologués AEC-Q100.

Diodes EliteSiC D1

Les diodes EliteSiC D1 onsemi sont une solution polyvalente et haute performance conçue pour les applications électroniques de puissance modernes. Le D1 d'onsemi dispose d'une tension nominale de 650 V, 1 200 V et 1 700 V. Ces diodes offrent la flexibilité nécessaire pour répondre à diverses exigences de conception. Proposées dans différents boîtiers, tels que D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 et TO-247-3, les diodes EliteSiC D1 fournissent aux concepteurs des options pour optimiser l'espace sur la carte et les performances thermiques.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.