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Ce dont il faut tenir compte dans la conception de MOSFET SiC Marcel Consée
Initialement, les composants en carbure de silicium (SiC) avaient vocation à remplacer l’électronique CMOS traditionnelle. Ils avaient pour cela l’avantage du RDS(ON) et de fréquences de commutation plus élevées. Au fil du temps, les circuits ont été entièrement repensés afin de s’adapter aux caractéristiques particulières des matériaux à large bande interdite. Depuis que les matériaux à faible bande interdite se sont répandus sur un plus vaste marché, ils font l’objet d’études poussées de la part des fabricants de semi-conducteurs de puissance qui cherchent à en parfaire les avantages par rapport aux semi-conducteurs au silicium. C’est ainsi que le premier MOSFET SiC a été commercialisé en 2011.

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