LSIC1MO120G0040

IXYS
576-LSIC1MO120G0040
LSIC1MO120G0040

Fab. :

Description :
SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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IXYS
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
70 A
50 mOhms
- 5 V, + 20 V
4 V
175 nC
- 55 C
+ 175 C
357 W
Enhancement
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 8 ns
Conditionnement: Tube
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 9 ns
Série: LSIC1MO120G0xxx
Nombre de pièces de l'usine: 450
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Délai de désactivation type: 22 ns
Délai d'activation standard: 13 ns
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Fiche technique

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Codes de conformité
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Systèmes d'UAV militaires hybrides/thermiques

Les systèmes de véhicules aériens sans pilote (UAV) militaires hybrides/thermiques de Littelfuse offrent des solutions pour la conversion d'énergie et le bus CC, la distribution d'énergie et l'alimentation de chargeur/parc.  Ces systèmes prennent en charge la conversion d'énergie et un bus CC avec une diode redresseuse qui convertit la tension de ligne CA en CC. Les systèmes de véhicules aériens sans pilote (UAV) militaires hybrides/thermiques fournissent des diodes TVS, des fusibles, des MOSFET pour les commutateurs semiconducteurs, la protection contre les surtensions et la rectification.  Ces systèmes proposent des produits de qualité AEC-Q/MIL pour diverses fonctions. Les applications typiques comprennent le renseignement, la surveillance et la reconnaissance (ISR), le domaine militaire et la surveillance des frontières.

Systèmes de drones commerciaux et tactiques

Les systèmes de véhicules aériens sans pilote (UAV) commerciaux et tactiques de Littelfuse proposent des solutions pour la protection de batteries Li-Ion, les chargeurs de batteries et la distribution d'énergie.  Ces systèmes fournissent des fusibles pour la protection des entrées/protection contre les surintensités, des MOSFET pour la commutation de semiconducteurs et des diodes TVS pour protection contre les transitoires de sortie CC/contre les surtensions. Les systèmes d'UAV commerciaux et tactiques offrent une protection de batterie >60 V et fournissent une isolation des défauts du bloc principal, une déconnexion de la batterie/un contrôle du chemin d'alimentation (prise en charge de la précharge) et une protection contre les surintensités des circuits de dérivation de branche. Les applications typiques comprennent le renseignement, la surveillance et la reconnaissance (ISR), le domaine militaire, la surveillance des frontières, l'agriculture, la livraison/logistique, l'inspection et la sécurité publique.

Sous-systèmes de drones

Les Sous-systèmes de drones Littelfuse proposent des solutions pour des chargeurs de batteries PD à USB-C et au lithium, pour des systèmes de batteries et pour des moteurs BLDC. Ces sous-systèmes comportent des fusibles pour diverses fonctions, notamment la protection contre les surintensités d'entrée en CA et l'isolement contre des anomalies, la protection de la batterie et du contrôleur en aval, du pack, du câblage et du contrôleur. Les sous-systèmes du drone fournissent des diodes TVS pour la suppression des transitoires de commutation côté primaire et une protection contre les surtensions d'entrée de la ligne de détection du circuit intégré de surveillance des cellules. Ces sous-systèmes conviennent à divers drones, y compris les drones jouets, les drones caméra, les drones à vue subjective (FPV), les drones d’entreprise, les drones industriels, les drones de renseignement, de surveillance et de reconnaissance (ISR), les drones d’inspection/de cartographie, les drones agricoles et les drones de levage lourd. Les applications typiques comprennent la livraison/logistique, la sécurité publique, la surveillance des frontières et le secteur militaire.

MOSFET SiC à canal N LSIC1MO120G0x

Les MOSFET SiC à canal N LSIC1MO120G0x d’IXYS offrent une tension drain-source nominale de 1200 V, une plage de résistance de 25 m Ω Ω à 160 m et des courants allant de14 A à 70 A. Ces MOSFET sont optimisés pour les applications à haute fréquence et haut rendement et disposent d’une résistance à l’état passant ultra-faible, d’une faible résistance de grille et d’opérations normalement « off » à toutes les températures. Les MOSFET SiC à canal N LSIC1MO120G0x d'IXYS sont idéaux pour les onduleurs solaires, les alimentations à découpage, les commandes de moteurs, les chargeurs de batteries et plus encore.

Disponibilité

Stock:
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