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T2G4005528-FS

Name: Qorvo T2G4005528-FS
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G4005528-FS
Price: 281.18 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

772-T2G4005528-FS

N° de fab. :

T2G4005528-FS

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

Fiche technique:

T2G4005528-FS Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Package/Boîte:	NI-360
Polarité du transistor:	N-Channel
Marque:	Qorvo
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Gain:	16 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	3.5 GHz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	55 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Série:	T2G4005528
Nombre de pièces de l'usine:	100
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	HEMT
Type:	GaN SiC HEMT
Raccourcis pour l'article N°:	T2G4005528 1099993

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Fiche technique

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CAHTS:: 8542330000
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MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.