BSM080D12P2C008

ROHM Semiconductor
755-BSM080D12P2C008
BSM080D12P2C008

Fab. :

Description :
Modules à semi-conducteurs discrets Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V

Fiche technique:
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ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:  
SiC MOSFET-SiC SBD Modules
Half Bridge
SiC
1.2 kV
- 6 V, + 22 V
Screw Mount
Module
- 40 C
+ 150 C
BSMx
Tray
Marque: ROHM Semiconductor
Configuration: Half Bridge
Temps de descente: 40 ns
Id - Courant continu de fuite: 80 A
Pd - Dissipation d’énergie : 600 W
Type de produit: Discrete Semiconductor Modules
Temps de montée: 30 ns
Nombre de pièces de l'usine: 12
Sous-catégorie: Discrete Semiconductor Modules
Polarité du transistor: N-Channel
Délai de désactivation type: 80 ns
Délai d'activation standard: 20 ns
Vds - Tension de rupture drain-source: 1.2 kV
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1.6 V
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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Japon
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

Disponibilité

Stock:
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Délai usine :
39 Semaines Délai de production estimé en usine.
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