Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

FDMS0312S

Name: onsemi FDMS0312S
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS0312S
Price: 0.95 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

512-FDMS0312S

N° de fab. :

FDMS0312S

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

Fiche technique:

FDMS0312S Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi FDMS0312S

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Power-56-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	19 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.9 V
Qg - Charge de grille:	33 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.5 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Transconductance directe - min.:	97 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	FDMS0312S
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	28 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Poids de l''unité:	74 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

FDMS0312S Fiche technique

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench^® SyncFET™ MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications and reduce on-state resistance. The N-Channel PowerTrench SyncFET MOSFETs utilize silicon technology to enhance performance and lower overall system costs. With an integrated Schottky diode, these onsemi N-Channel PowerTrench SyncFET MOSFETs offer similar performance (high power and current handling) of a separate MOSFET and Schottky rectifier in one package. This integration reduces space by as much as 50% and provides cost savings and manufacturing throughput (or "time") savings. Applications can include notebooks, servers, telecom, DC-DC buck converters, high-efficiency DC-DC switch-mode power supplies, and synchronous rectifiers for DC-DC converters.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

En stock: 6 003

Stock:: 6 003 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 19 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,955 €	0,96 €
	0,597 €	5,97 €
	0,39 €	39,00 €
	0,298 €	149,00 €
	0,237 €	237,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,202 €	606,00 €
	0,20 €	1 200,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

FDMS0312S

Fab. : onsemi

Description : MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

Caractéristiques

Documents (5)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFETs

Nos clients ont également acheté

PRODUITS PRÉSENTÉS ONSEMI

En stock: 6 003

Prix (EUR)

Aperçu rapide

Une erreur inattendue est survenue.

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI