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FFSP1265A

Name: onsemi FFSP1265A
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP1265A
Price: 3.57 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-FFSP1265A

N° de fab. :

FFSP1265A

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC 650V 12A SIC SBD

Fiche technique:

FFSP1265A Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,57 €	3,57 €
	2,20 €	22,00 €
	2,02 €	202,00 €
	1,76 €	880,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	12 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.5 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	70 A
Ir - Courant inverse:	200 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSP1265A
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Pd - Dissipation d’énergie :	115 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	650 V
Poids de l''unité:	2 g

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FFSP1265A Fiche technique

PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Dispositifs SiC à large bande interdite

Les dispositifs au carbure de silicium (SiC) à large bande interdite (WBG) d'onsemi intègrent une toute nouvelle technologie qui assure des performances de commutation et une fiabilité meilleures que celles du silicium. Le système bénéficie d'un rendement le plus élevé, d'une fréquence de fonctionnement plus rapide, d'une densité de puissance accrue, d'une réduction des EMI et de la taille et du coût du système. Le portefeuille SiC d'onsemi’ comprend des diodes 650 V et 1 200 V, des modules de puissance intégrés IGBT et à diode SiC 650 V et 1 200 V et des dispositifs homologués AEC-Q100.

Diodes Schottky en carbure de silicium

Les diodes Schottky (SiC) en carbure de silicium fournissent des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée pour les appareils à base de silicium. Ces diodes offrent : un temps de recouvrement inverse nul, stabilité du courant indépendante de la température et d'excellentes performances thermiques. Les avantages du système incluent une haute efficacité, une fréquence de fonctionnement rapide, une densité de puissance élevée, de faibles EMI et une réduction de la taille du système et des coûts. onsemi dispose d'un catalogue de diodes de 650 V et 1200 V dans un éventail d'options de boîtier et de courant, idéales pour les conceptions des systèmes d'alimentation de nouvelle génération.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

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Les diodes EliteSiC D1 onsemi sont une solution polyvalente et haute performance conçue pour les applications électroniques de puissance modernes. Le D1 d'onsemi dispose d'une tension nominale de 650 V, 1 200 V et 1 700 V. Ces diodes offrent la flexibilité nécessaire pour répondre à diverses exigences de conception. Proposées dans différents boîtiers, tels que D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 et TO-247-3, les diodes EliteSiC D1 fournissent aux concepteurs des options pour optimiser l'espace sur la carte et les performances thermiques.

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.