FFSP2065B

onsemi
863-FFSP2065B
FFSP2065B

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC SIC DIODE 650V 20A

Fiche technique:
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onsemi
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
20 A
650 V
1.38 V
84 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
650 V
FFSP2065B
Tube
Marque: onsemi
Pd - Dissipation d’énergie : 150 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Nom commercial: EliteSiC
Poids de l''unité: 3,566 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays de diffusion:
Corée, République de
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Diodes EliteSiC D2

Les diodes EliteSiC D2  d'onsemi constituent une gamme de diodes à hautes performances conçues pour les applications nécessitant une tension nominale de 650 V. La D2  d'onsemi est disponible en divers boîtiers, notamment DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 et TO-247-3. Ces diodes affichent une faible charge capacitive (QC) et sont optimisées pour une commutation à haute vitesse avec une tension directe faible. Ces caractéristiques rendent les diodes idéales pour la correction du facteur de puissance (PFC) et les applications de redressement de sortie.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

En stock: 1 317

Stock:
1 317 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
22 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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2,13 € 213,00 €
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