FSB50550AB

onsemi
512-FSB50550AB
FSB50550AB

Fab. :

Description :
Modules d'alimentation intelligents (IPM) Motion SPM

Modèle de ECAO:
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En stock: 101

Stock:
101 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
15 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
8,32 € 8,32 €
5,94 € 59,40 €
4,88 € 512,40 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Modules d'alimentation intelligents (IPM)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Marque: onsemi
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 500 V
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Température de fonctionnement min.: - 40 C
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: SPM23DD-21
Conditionnement: Tube
Pd - Dissipation d’énergie : 14.5 W
Type de produit: Intelligent Power Modules - IPMs
Série: SPM 5
Nombre de pièces de l'usine: 15
Sous-catégorie: Discrete and Power Modules
Technologie: Si
Type: 3-Phase
Poids de l''unité: 3,215 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Modules FSB50xxx Advanced Motion série SPM® 5

Les modules FSB50xxx Advanced Motion série SPM® 5 de Fairchild assurent un étage inverseur en sortie à haute performance et doté de toutes les options pour les moteurs BLDC et PMSM, à induction CA. Ces modules comportent un pilote de grille optimisé sur les MOSFET intégrés (technologie FRFET® ou SuperFET®) pour minimiser les interférences EMI et les pertes, tout en assurant en même temps de nombreuses fonctionnalités de protection sur le module, dont des verrouillages en sous-tension et une surveillance thermique. Le HVIC à haute vitesse intégré nécessite juste une seule tension d'alimentation et traduit les entrées à niveau logique arrivant à la grille en signaux pilotes à haute tension et courant fort pour piloter correctement les MOSFET internes du module. Des bornes séparées à source ouverte sont disponibles sur les MOSFET pour chaque phase afin de prendre en charge la plus large variété possible d'algorithmes de contrôle.
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