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NTBLS1D1N08XTXG

Name: onsemi NTBLS1D1N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D1N08XTXG
Price: 4.98 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

863-NTBLS1D1N08XTXG

N° de fab. :

NTBLS1D1N08XTXG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T10 80V SG TOLL

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NTBLS1D1N08XTXG Fiche technique (PDF)

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	4,98 €	4,98 €
	3,47 €	34,70 €
	2,81 €	281,00 €
	2,49 €	1 245,00 €
	2,14 €	2 140,00 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H-PSOF-8L
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	299 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	120 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	197 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	152 ns
Transconductance directe - min.:	294 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	118 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	22 ns

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Fiche technique

NTBLS1D1N08XTXG Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

MOSFET basse/moyenne tension T10

Les MOSFET basse/moyenne tension T10 d'onsemi sont desMOSFET de puissance monocanal N dans les catégories 40 V et 80 V avec des performances améliorées, une plus grande efficacité du système et une haute densité de puissance. Ces MOSFET de puissance présentent une faible R_DS(on) pour minimiser les pertes de conduction et une faible capacité pour minimiser les pertes du pilote. Les MOSFET basse/moyenne tension T10 offrent un faible Q_RRet une diode de corps à récupération progressive. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS et sont sans Pb et sans halogène/sans BFR. Les applications typiques incluent le redressement synchrone (SR) dans les convertisseurs CC-CC et CA-CC, le commutateur principal dans un convertisseur CC-CC isolé, la protection de batterie et les entraînements à moteur.