Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

QH8JB5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JB5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JB5TCR
Price: 1.66 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-QH8JB5TCR

N° de fab. :

QH8JB5TCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

Fiche technique:

QH8JB5TCR Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de ROHM Semiconductor QH8JB5TCR

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSMT-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	5 A
Rds On - Résistance drain-source:	41 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	17.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	43 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 - P Channel
Délai de désactivation type:	82 ns
Délai d'activation standard:	9.2 ns
Raccourcis pour l'article N°:	QH8JB5
Poids de l''unité:	10 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

QH8JB5TCR Fiche technique

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

MOSFET de puissance à canal P QH8J

Les MOSFET de puissance Pch QH8J de ROHM Semiconductor disposent d’une faible résistance à l’état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé (TSMT8) haute puissance. Le ROHM offre une large plage de tensions allant des produits à signal faible aux produits à haute tension de 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ROHM SEMICONDUCTOR

MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA

Ce MOSFET possède une tension V_DSS nominale de -40 V et une tension I_D nominale (V_DS = -10 V) de ±22 A.

MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT

Ce MOSFET a une tension V_DSSnominale de -100 V et une tension I_D nominale (V_DS = 10 V) de ±105 A.

MOSFET de puissance automobile RD3x

MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

MOSFET à canal P RQxAT

Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

En stock: 2 606

Stock:: 2 606 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,66 €	1,66 €
	0,793 €	7,93 €
	0,709 €	70,90 €
	0,561 €	280,50 €
	0,529 €	529,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,453 €	1 359,00 €

QH8JB5TCR

Fab. : ROHM Semiconductor

Description : MOSFET -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

Caractéristiques

Documents (4)

Fiche technique

Application Notes

Specification Sheets

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

Electronic Vehicle (EV) Solutions

MOSFET de puissance à canal P QH8J

Nos clients ont également acheté

PRODUITS PRÉSENTÉS ROHM SEMICONDUCTOR

En stock: 2 606

Prix (EUR)

Aperçu rapide

Une erreur inattendue est survenue.

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

PRODUITS PRÉSENTÉS

ROHM SEMICONDUCTOR