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RF4E080BNTR

Name: ROHM Semiconductor RF4E080BNTR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4E080BNTR
Price: 1.03 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RF4E080BNTR

N° de fab. :

RF4E080BNTR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

Fiche technique:

RF4E080BNTR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-2020-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	8 A
Rds On - Résistance drain-source:	17.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	14.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	RF4E080BN
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	33 ns
Délai d'activation standard:	8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RF4E080BN

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Test/Quality Data

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Medium Power MOSFETs

ROHM Medium Power MOSFETs are low ON-resistance devices useful for a wide range of applications. These MOSFETs feature a broad lineup with compact, high-power, and complex types to meet various needs. ROHM Medium Power MOSFETs come in high-power small mold packages, and typical applications are for DC/DC converters and load switches.

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Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA

Ce MOSFET possède une tension V_DSS nominale de -40 V et une tension I_D nominale (V_DS = -10 V) de ±22 A.

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Ce MOSFET a une tension V_DSSnominale de -100 V et une tension I_D nominale (V_DS = 10 V) de ±105 A.

MOSFET de puissance automobile RD3x

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Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

En stock: 2 337

Stock:: 2 337 Expédition possible immédiatement

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,03 €	1,03 €
	0,478 €	4,78 €
	0,424 €	42,40 €
	0,329 €	164,50 €
	0,322 €	322,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,257 €	771,00 €
	0,252 €	1 512,00 €
	0,234 €	2 106,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

RF4E080BNTR

Fab. : ROHM Semiconductor

Description : MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

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