Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

STGD4M65DF2

Name: STMicroelectronics STGD4M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD4M65DF2
Price: 1.36 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STGD4M65DF2

N° de fab. :

STGD4M65DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

Complétez votre conception

Fiche technique:

STGD4M65DF2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics STGD4M65DF2

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	8 A
Pd - Dissipation d’énergie :	68 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGD4M65DF2
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	8 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 uA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	330 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

STGD4M65DF2 Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

PRODUITS PRÉSENTÉS

STMICROELECTRONICS

SLLIMM pour onduleur triphasé et IGBT STGI15C60S

Ce dispositif est idéal pour les entraînements de moteur fonctionnant jusqu'à 20 kHz dans des circuits à commutation dure.

IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2

Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.

IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode

Il combine deux IGBTs et des diodes dans une topologie demi-pont.

IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG

Développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée.

IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG

Conçu à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée.

En stock: 5 000

Stock:: 5 000 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,36 €	1,36 €
	0,857 €	8,57 €
	0,57 €	57,00 €
	0,447 €	223,50 €
	0,408 €	408,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,359 €	897,50 €
	0,342 €	1 710,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

STGD4M65DF2

Fab. : STMicroelectronics

Description : IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss Complétez votre conception

Caractéristiques

Documents (6)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

Nos clients ont également acheté

PRODUITS PRÉSENTÉS STMICROELECTRONICS

En stock: 5 000

Prix (EUR)

Aperçu rapide

Une erreur inattendue est survenue.

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

Complétez votre conception

PRODUITS PRÉSENTÉS

STMICROELECTRONICS