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UT6JC5TCR

Name: ROHM Semiconductor UT6JC5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-UT6JC5TCR
Price: 1.12 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

755-UT6JC5TCR

N° de fab. :

UT6JC5TCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET -60V Dual Pch+Pch, DFN2020, Power MOSFET

Fiche technique:

UT6JC5TCR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-2020-8D
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	2.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	280 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	6.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	18 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 P - Channel
Délai de désactivation type:	42 ns
Délai d'activation standard:	7.4 ns
Raccourcis pour l'article N°:	UT6JC5

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Fiche technique

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Application Notes

Application Note (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

MOSFET de puissance UT6J à canal P

Les MOSFET de puissance UT6J à canal P de Semiconductor se caractérisent par une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un boîtier de petite taille à haute puissance. Le ROHM offre une large gamme de tensions allant des produits à signal faible aux produits haute tension 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ROHM SEMICONDUCTOR

MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA

Ce MOSFET possède une tension V_DSS nominale de -40 V et une tension I_D nominale (V_DS = -10 V) de ±22 A.

MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT

Ce MOSFET a une tension V_DSSnominale de -100 V et une tension I_D nominale (V_DS = 10 V) de ±105 A.

MOSFET de puissance automobile RD3x

MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

MOSFET à canal P RQxAT

Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

Disponibilité

Stock:: 0

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Sur commande:: 6 825

19/08/2026 attendu

9 000

21/08/2026 attendu
Délai usine :: 16

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,12 €	1,12 €
	0,703 €	7,03 €
	0,464 €	46,40 €
	0,36 €	180,00 €
	0,327 €	327,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,284 €	852,00 €
	0,262 €	1 572,00 €
	0,261 €	2 349,00 €

UT6JC5TCR

Fab. : ROHM Semiconductor

Description : MOSFET -60V Dual Pch+Pch, DFN2020, Power MOSFET

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