WST4100D-GP4

MACOM
937-WST4100D-GP4
WST4100D-GP4

Fab. :

Description :
FET GaN Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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Fiche technique:
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MACOM
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
1 Channel
84 V
1.5 A
440 mOhms
- 10 V, + 2 V
- 2 V
- 40 C
+ 85 C
GaN, SiC
Marque: MACOM
Configuration: Single
Gain: 20.8 dB
Alimentation en sortie: 30.2 W
Produit: GaN FETs
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 10
Sous-catégorie: Transistors
Type: GaN on SiC Transistor
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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Codes de conformité
USHTS:
8541290040
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
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GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.

En stock: 50

Stock:
50 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 10   Multiples : 10
Prix unitaire:
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Tarif est.:
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