SGT080R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT080R70ILB
SGT080R70ILB

Fab. :

Description :
FET GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
29 A
80 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
188 W
Enhancement
GaN
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Temps de descente: 4 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Produit: FET
Type de produit: GaN FETs
Temps de montée: 4 ns
Série: SGT
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type: PowerGaN Transistor
Délai de désactivation type: 5 ns
Délai d'activation standard: 3 ns
Poids de l''unité: 154 mg
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Fiche technique

PCN

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
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Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

Le transistor E-Mode PowerGaN SGT080R70ILB de STMicroelectronics est un transistor en mode d’amélioration conçu pour des applications de conversion d’énergie à haut rendement. Doté d’une tension nominale drain-source de 700 V et d’une résistance à l’état passant standard de seulement 80 mΩ, le SGT080R70ILB de STMicroelectronics tire parti de la performance de commutation supérieure de la technologie au nitrure de gallium (GaN) pour minimiser les pertes par conduction et commutation. Logé dans un boîtier compact PowerFLAT 8x8 HV, le transistor prend en charge l’exploitation à haute fréquence et est idéal pour une utilisation dans des convertisseurs résonnants, des étages de correction du facteur de puissance (PFC) et des convertisseurs CC-CC. Une charge de grille et une capacité de sortie réduites permettent des transitions plus rapides et une dissipation d’énergie réduite, ce qui rend le SGT080R70ILB parfaitement adapté aux applications exigeantes dans l’électronique grand public, les systèmes industriels et les centres de données.

Transistors E-Mode G-HEMT™ PowerGaN

Les transistors E-Mode G-HEMT™ PowerGaN de STMicroelectronics sont des dispositifs au nitrure de gallium (GaN) hauteperformance, à enrichissement (normalement désactivés) conçus pour fournir une commutation exceptionnellement rapide, de faibles pertes par conduction et une densité de puissance élevée pour les applications de conversion de puissance exigeantes. Ces transistors tirent parti des avantages de la large bande interdite du nitrure de gallium pour atteindre des capacités extrêmement faibles, une charge de grille minimale et une charge de recouvrement inverse nulle, offrant ainsi une efficacité supérieure par rapport aux commutateurs de puissance en silicium traditionnels.

En stock: 880

Stock:
880 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ †
6,16 € 6,16 €
4,04 € 40,40 €
2,98 € 298,00 €
2,64 € 1 320,00 €
2,50 € 2 500,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
2,12 € 6 360,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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