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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
4 340En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
1 478En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 248 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
5 096En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
470En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 290 A 1.9 Ohms - 20 V, 20 V 3.8 V 94 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package
Fiche technique
925En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
3 053En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 273 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 107 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
2 778En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
3 245En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
6 119En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 198 A 2.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
2 382En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 333 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.1 V 158 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
101En stock
10 000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
434En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
54En stock
3 600Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 365 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 211 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
993En stock
6 00019/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
107En stock
6 00025/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
615En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
35En stock
7 220Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800
Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 80 V 408 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 223 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
103En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 101 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
92En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 101 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
11 970Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 6 000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
11 751Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 100 V 139 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
5 00029/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
5 979Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 6 000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
10 00020/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube