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STN6N60M2

Name: STMicroelectronics STN6N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STN6N60M2
Price: 0.96 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STN6N60M2

N° de fab. :

STN6N60M2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

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Fiche technique:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	5.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.2 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	6.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	6 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	4000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	110 mg

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Fiche technique

STN6N60M2 Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Singapour
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance MDmesh M2 STN6N60M2

Le MOSFET de puissance MDmesh M2 STN6N60M2 de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance à canal N qui dispose d'une faible résistance à l'état passant et de caractéristiques de commutation optimisées. Ce MOSFET de puissance est développé à l'aide de la technologie MDmesh M2. Le MOSFET STN6N60M2 offre une charge de grille extrêmement faible et un excellent profil de capacité de sortie (C_oss). Ce MOSFET de puissance est protégé par Zener et testé à 100 % en mode avalanche. Le MOSFET STN6N60M2 est idéal pour les applications de commutation.

PRODUITS PRÉSENTÉS

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MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG

Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.

MOSFET de puissance STL059N4S8AG

Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.

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Conformes à AEC-Q101, ils offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V.

MOSFET de puissance à canal N STP80N1K1K6

Utilise la technologie MDmesh K6, en s'appuyant sur 20 années d'expérience dans le domaine de la technologie de super jonction.

En stock: 612

Stock:: 612

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Sur commande:: 8 000

26/02/2027 attendu

24 000

12/03/2027 attendu
Délai usine :: 24

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,963 €	0,96 €
	0,507 €	5,07 €
	0,389 €	38,90 €
	0,305 €	152,50 €
	0,275 €	275,00 €
	0,262 €	524,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4000)
	0,217 €	868,00 €
	0,199 €	1 592,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

STN6N60M2

Fab. : STMicroelectronics

Description : MOSFET N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa Complétez votre conception

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