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FDA38N30

Name: onsemi FDA38N30
Brand: onsemi
SKU: 512-FDA38N30
Price: 4.15 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

512-FDA38N30

N° de fab. :

FDA38N30

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET

Fiche technique:

FDA38N30 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,15 €	4,15 €
	2,43 €	24,30 €
	2,01 €	201,00 €
	1,82 €	819,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3PN-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	38 A
Rds On - Résistance drain-source:	70 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	60 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Pd - Dissipation d’énergie :	312 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	UniFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	KR
Pays d'origine:	CN
Transconductance directe - min.:	6.3 S
Type de produit:	MOSFETs
Série:	FDA38N30
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	4,600 g

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Fiche technique

FDA38N30 Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors

onsemi FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors are N-Channel enhancement mode power field effect transistors produced using proprietary, planar stripe, DMOS technology. onsemi's Mosfet Power UniFET Transistors utilize advanced technology that minimizes on-state resistance, provides superior switching performance, and withstands high-energy pulse in the avalanche and commutation mode. Features include fast switching, improved dv/dt capability, ESD improved capability, low gate charge, 300V drain to source voltage, and more.