MOSFET de puissance M9 MDmesh™

Les MOSFET de puissance MDmesh™ M9 STMicroelectronics intègrent une structure de dispositif améliorée, une faible résistance à l'état passant et de faibles valeurs de charge de grille.  Ces MOSFET de puissance offrent une robustesse dv/dt élevée de diode inverse et de MOSFET, une haute densité de puissance et de faibles pertes par conduction. Les MOSFET de puissance MDmesh M9 offrent également une vitesse de commutation élevée, un haut rendement et de faibles pertes de puissance de commutation. Ces MOSFET de puissance sont conçus avec une technologie innovante de super-jonction à haute tension qui fournit un facteur de mérite (FoM) impressionnant. Le FoM élevé permet des niveaux de puissance et une densité plus élevés pour des solutions plus compactes. Les applications typiques comprennent les serveurs, les centres de données télécoms, les stations d'alimentation 5G, les microonduleurs et les chargeurs rapides.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Fiche technique
210En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 50
Bobine: 3 000
Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Fiche technique
210En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 50
Bobine: 3 000
Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 107 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Fiche technique
300En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 50
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
542En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Fiche technique
931En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Fiche technique
796En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 50 mOhms 30 V 4.5 V 100 nC - 50 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Fiche technique
403En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 600

Si SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 50 mOhms 30 V 4.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Fiche technique
244En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 600 V 39 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
236En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 44 mOhms 30 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 166 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Fiche technique
1 142En stock
1 00005/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
531En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 95 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
580En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
366En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 95 A - 30 V, 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
1 195En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
775En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 32 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
Fiche technique
113En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3.2 V 32 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Fiche technique
82En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Fiche technique
600Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 600

Si SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 600 V 54 A 46 mOhms 30 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics STO60N030M9
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 23 mOhm typ., 79 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package
Fiche technique
1 80031/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 800

Reel, Cut Tape
STMicroelectronics STO60N045DM9
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package
Fiche technique
1 80026/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 800

Reel, Cut Tape