DRAM synchrone 3,3 V à débit de données unique (SDR)

La DRAM synchrone 3,3 V à débit de données unique (SDR) d'ISSI fournit une grande sélection de SDRAM SDR avec des densités de 16 Mbits à 512 Mbits en organisations 1Mx16, 4Mx16 et 8Mx16. Chacun de ces dispositifs comprend une tension d'alimentation simple (3,3 V +/-0,3 V), des temporisations d'horloge SDRAM standard, des entrées compatibles LVTTL, des longueurs de rafale programmables de 1, 2, 4, 8 ou pleine page, des modes d'actualisation automatique ou autonome et une latence CAS programmable de 2 ou 3. Les applications habituelles pour ces dispositifs comprennent les points d'accès sans fil, les stations de base, les routeurs, le stockage réseau, la gestion d'énergie, les commandes industrielles, l'infoloisir automobile et la télématique automobile.
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Type
Taille de la mémoire
Largeur du bus de données
Fréquence de l'horloge max.
Package/Boîte
Organisation
Temps d'accès
Tension d’alimentation - Min.
Tension d’alimentation - Max.
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Fiche technique
348En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Fiche technique
239En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Fiche technique
320En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Fiche technique
143En stock
10806/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS
Fiche technique
378En stock
32428/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Fiche technique
1 425En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS,
Fiche technique
257En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT
Fiche technique
160En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT
Fiche technique
1 007En stock
2 484Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS
Fiche technique
2 165En stock
1 404Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
Fiche technique
194En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 32Mb 2Mx16 133MHz Mobile SDRAM
Fiche technique
982En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM Mobile 32 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 2 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16200D Tray
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS
Fiche technique
3 411En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
Fiche technique
283En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm)
Fiche technique
237En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800G Tray
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V
Fiche technique
2 767En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS
Fiche technique
14En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Fiche technique
70En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Fiche technique
62En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS
Fiche technique
106En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Fiche technique
156En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS
Fiche technique
47En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS
Fiche technique
90En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S86400F Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Fiche technique
6 476En stock
16 63216/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Fiche technique
807En stock
86417/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C