Étage de puissance intégré série SiC6 DrMOS

L'étage de puissance intégré DrMOS SiC620 de Vishay Semiconductors est optimisé pour les applications Buck synchrones afin d'offrir un courant, une efficacité et une densité de puissance élevés. Fourni dans le boîtier MLP 5 mm x 5 mm exclusif à Vishay, le SiC620 permet au régulateur de tension de fournir jusqu'à 60 A en courant continu par phase.Les MOSFET de puissance internes utilisent la technologie ultramoderne TrenchFET gén. IV de Vishay qui procure des performances de référence dans le secteur en réduisant de manière significative les pertes par conduction et commutation. 

Le SiC620 intègre un CI avancé de commande de grille de MOSFET qui comprend une capacité de conduite de courant élevé, un contrôle adaptatif de temps mort, une diode Schottky d'amorçage intégrée, un avertisseur thermique (THWn) qui alerte le système en cas de température de jonction excessive et une détection de courant homopolaire pour une efficacité améliorée à faible charge. Les commandes sont également compatibles avec une large gamme de contrôleurs PWM et prennent en charge la logique de modulation de largeur d'impulsion 3,3 V (SiC620A) ou 5 V (SiC620) à trois états.
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