MOSFET de puissance à canal N RH6

Les MOSFET de puissance à canal N RH6 ROHM Semiconductor offrent une faible résistance à l’état passant dans un petit boîtier moulé en surface (HSMT-8) à 8 broches et haute puissance. Les MOSFET RH6 disposent d’une dissipation de puissance 59 W et d’une plage de température de fonctionnement de -55 °C à +150 °C. Les MOSFET de puissance à canal N RH6 sont conçus pour les applications de commutation.

Résultats: 9
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 N-CH 150V 40A
Fiche technique
2 100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 150 V 40 A 38 mOhms 20 V 4 V 11.3 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 N-CH 60V 65A
Fiche technique
3 148En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 60 V 65 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18.8 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET
Fiche technique
4 997En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 15.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 N-CH 40V 135A
Fiche technique
2 100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 135 A 2.4 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET
Fiche technique
2 980En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 N-CH 40V 135A
Fiche technique
3 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 135 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)
Fiche technique
3 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 80 V 65 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 150V 25A N-CH
Fiche technique
5 870En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 N-CH 40V 95A
Fiche technique
5 98519/06/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel