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NVMFS4C306NT1G

Name: onsemi NVMFS4C306NT1G
Brand: onsemi
SKU: 698-NVMFS4C306NT1G
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

698-NVMFS4C306NT1G

N° de fab. :

NVMFS4C306NT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET TRENCH 30V NCH

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

NVMFS4C306NT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,06 €	2,06 €
	1,32 €	13,20 €
	0,903 €	90,30 €
	0,72 €	360,00 €
	0,659 €	659,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,659 €	988,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8FL-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	20.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.1 V
Qg - Charge de grille:	11.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	3 ns
Transconductance directe - min.:	58 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	28 ns
Série:	NVMFS4C306N
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	8 ns

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Fiche technique

NVMFS4C306NT1G Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance NVMFS4C306N

Les MOSFET de puissance NVMFS4C306N d'onsemi affichent une tension drain-source de 30 V, une_RDS(ON) de 3,4 mΩ et un courant de drain continu de 71 A. Le MOSFET de puissance automobile est disponible en boîtier SO8-FL à broches plat de 5 mm x 6 mm développé pour des conceptions compactes et efficaces.