MOSFET à petit signal canal N+canal P doubles QH8M
Les MOSFET à petit signal à canal N+canal P doubles QH8M de ROHM Semiconductor prennent en charge une tension de tenue de 40 V ou 60 V et combinent des MOSFET à canal N+canal P à ultra-faible résistance à l'état passant dans un petit boîtier TSMT8 à montage en surface. Cette série est conçue pour les équipements d'entrée 24 V tels que les équipements d'automatisation d'usine et les moteurs montés sur des stations de base (ventilateurs de refroidissement). Ces composants contribuent à réduire la consommation d'énergie de l'équipement. Le QH8MB5 offre un RDS(on) maximal de 44 mΩ/41 mΩ et un ID de courant de drain de ±4,5 A/±5 A tandis que le QH8MC5 offre un RDS(on) de 90 mΩ/91 mΩ maximum et un ID de courant de drain de ±3 A/3,5 A. Les MOSFET à signal faible et canal N+canal P doubles QH8M de ROHM Semiconductor disposent d'une dissipation d'énergie de 1,5 W, d'un placage sans Pb et d'une conformité RoHS. La série QH8M est idéale pour les applications de commutation.
