Module SiC NXH010P90MNF1

Le module SiC NXH010P90MNF1 d'onsemi contient un demi-pont MOSFET SiC 900 V 10 Mohm et une thermistance NTC dans un module F1. Le module dispose d’une tension de grille recommandée de 15 V à 18 V. Le NXH010P90MNF1 présente une RDS(ON) améliorée sous une tension supérieure et pour une faible résistance thermique.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
onsemi Modules MOSFET SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 900 V, 10 mohm SiC M2 MOSFET
Fiche technique
8En stock
Min. : 1
Mult. : 1
SiC Press Fit Module N-Channel 900 V 154 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V - 40 C + 150 C 328 W NXH010P90MNF1 Tray
onsemi Modules MOSFET SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 900 V, 10 mohm SiC M2 MOSFET TIM option
Fiche technique
28En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P90MNF1 Tray