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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Package/Boîte
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Fiche technique
12En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 6
Mult. : 6

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray