Transistors à résistance de polarisation PNP NBSAMXW

Les transistors à résistance de polarisation (BRT) NSBAMXW PNP d'onsemi  sont conçus pour remplacer un seul dispositif et le réseau de polarisation à résistance externe associé. Ces transistors à résistance de polarisation PNP contiennent un seul transistor avec un réseau de polarisation monolithique composé de deux résistances : une résistance de base en série et une résistance base-émetteur. Les BRT éliminent les composants individuels en intégrant tout dans un seul dispositif. L'utilisation d'un BRT réduit le coût du système et l'espace sur la carte. Les NSBAMXW d'onsemi  sont logés dans un boîtier XDFNW3 offrant des performances thermiques supérieures. Ces dispositifs sont idéaux pour applications à montage en surface où l'espace carte et fiabilité sont précieux.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Configuration
Polarité du transistor
Résistance d'entrée type
Taux de résistance type
Style de montage
Package/Boîte
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Courant de collecteur continu
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
onsemi Transistors numériques PBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
2 400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Single PNP 10 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 80 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques PBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
2 100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Single PNP 2.2 kOhms 0.22 SMD/SMT DFN-3 35 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques PBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
2 400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Single PNP 22 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 60 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques PBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
2 400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Single PNP 4.7 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 15 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques PBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
2 400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Single PNP 47 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 35 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques PBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
2 100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Single PNP 10 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 80 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques PBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
2 400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Single PNP 2.2 kOhms 0.22 SMD/SMT DFN-3 35 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques PBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
2 400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Single PNP 22 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 60 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques PBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
2 400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Single PNP 4.7 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 15 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques PBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
2 400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Single PNP 47 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 35 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape