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Transistors à résistance de polarisation PNP NBSAMXW
Les transistors à résistance de polarisation (BRT) NSBAMXW PNP d'onsemi sont conçus pour remplacer un seul dispositif et le réseau de polarisation à résistance externe associé. Ces transistors à résistance de polarisation PNP contiennent un seul transistor avec un réseau de polarisation monolithique composé de deux résistances : une résistance de base en série et une résistance base-émetteur. Les BRT éliminent les composants individuels en intégrant tout dans un seul dispositif. L'utilisation d'un BRT réduit le coût du système et l'espace sur la carte. Les NSBAMXW d'onsemi sont logés dans un boîtier XDFNW3 offrant des performances thermiques supérieures. Ces dispositifs sont idéaux pour applications à montage en surface où l'espace carte et fiabilité sont précieux.