Modules IGBT – Mouser France

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Modules à double configuration IGBT7 E7 TRENCHSTOP™

Les modules à double configuration IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ d'Infineon Technologies sont basés sur une technologie de tranchée à micro-motifs qui réduit les pertes et offre une haute contrôlabilité. Le concept de cellule est caractérisé par la mise en œuvre de cellules à tranchée parallèles séparées par des mesas de moins d'un micron, ce qui n'est pas le cas des cellules à tranchée carrées précédemment utilisées. Une puce spécialement optimisée pour les applications d’entraînement industriel et les systèmes d’énergie solaire fournit de faibles pertes statiques, une densité de puissance élevée et une commutation douce. Avec une température de fonctionnement maximale de +175 °C, les modules permettent une augmentation significative de la densité de puissance.

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Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.

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Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	RoHS	Produit	Configuration	Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.	Tension de saturation collecteur-émetteur	Courant collecteur continu de 25 C	Courant de fuite gâchette-émetteur	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Technologie	Conditionnement
Modules IGBT 2300 V, 1800 A dual IGBT module FF1800R23IE7BPSA1 Infineon Technologies 1: 1 114,56 € 2En stock	Fab. Numéro de référence FF1800R23IE7BPSA1 Référence Mouser 726-FF1800R23IE7BPSA	Infineon Technologies	Modules IGBT 2300 V, 1800 A dual IGBT module En savoir plus sur Infineon Technologies infineon ff1800r23ie7 modules	Fiche technique	2En stock	1 114,56 €	Min. : 1 Mult. : 1										Si	Tray
Modules IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module FF450R12ME7B11BPSA1 Infineon Technologies 1: 114,87 € 17En stock	Fab. Numéro de référence FF450R12ME7B11BPSA1 Référence Mouser 726-FF450R12ME7B11BP	Infineon Technologies	Modules IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module En savoir plus sur Infineon Technologies infineon igbt7 e7 modules	Fiche technique	17En stock	114,87 €	Min. : 1 Mult. : 1		IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.5 V	450 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray
Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module FF900R12ME7WB11BPSA1 Infineon Technologies 1: 236,71 € 6En stock	Fab. Numéro de référence FF900R12ME7WB11BPSA1 Référence Mouser 726-FF900R12ME7WB11B	Infineon Technologies	Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module En savoir plus sur Infineon Technologies infineon igbt7 e7 modules	Fiche technique	6En stock	236,71 € 189,35 €	Min. : 1 Mult. : 1		IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.5 V	890 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray
Modules IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module FF600R12ME7B11BPSA2 Infineon Technologies 1: 150,17 € 33En stock	Fab. Numéro de référence FF600R12ME7B11BPSA2 Référence Mouser 726-FF600R12ME7B11B2	Infineon Technologies	Modules IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module En savoir plus sur Infineon Technologies infineon econodual 3 econo modules	Fiche technique	33En stock	150,17 € 148,38 €	Min. : 1 Mult. : 1										Si	Tray
Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module FF900R12ME7PB11BPSA1 Infineon Technologies 1: 187,41 € 51En stock	Fab. Numéro de référence FF900R12ME7PB11BPSA1 Référence Mouser 726-FF900R12ME7PB11B	Infineon Technologies	Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module En savoir plus sur Infineon Technologies infineon igbt7 e7 modules	Fiche technique	51En stock	187,41 €	Min. : 1 Mult. : 1		IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.5 V	900 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray
Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module FF900R12ME7B11NPSA1 Infineon Technologies 1: 219,99 € 15En stock 5023/02/2027 attendu	Fab. Numéro de référence FF900R12ME7B11NPSA1 Référence Mouser 726-FF900R12ME7B11N1	Infineon Technologies	Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module En savoir plus sur Infineon Technologies infineon ff900r12me7 b11 dual igbt module	Fiche technique	15En stock 5023/02/2027 attendu	219,99 € 177,70 €	Min. : 1 Mult. : 1	Non	IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.5 V	900 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray
Modules IGBT 1200 V, 300 A dual IGBT module FF300R12ME7B11BPSA1 Infineon Technologies 1: 107,95 € 5En stock 20Sur commande	Fab. Numéro de référence FF300R12ME7B11BPSA1 Référence Mouser 726-FF300R12ME7B11BP	Infineon Technologies	Modules IGBT 1200 V, 300 A dual IGBT module En savoir plus sur Infineon Technologies infineon igbt7 e7 modules	Fiche technique	5En stock 20Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : FF300R12ME7B11BPSA1 Stock: 5 Expédition possible immédiatement Sur commande: 10 22/10/2026 attendu 10 06/05/2027 attendu Délai usine : 24 Semaines	107,95 € 101,96 €	Min. : 1 Mult. : 1		IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.5 V	300 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray
Modules IGBT 1700 V, 750 A dual IGBT module FF750R17ME7DB11BPSA1 Infineon Technologies 1: 202,52 € 4En stock	Fab. Numéro de référence FF750R17ME7DB11BPSA1 Référence Mouser 726-FF750R17ME7DB11B	Infineon Technologies	Modules IGBT 1700 V, 750 A dual IGBT module En savoir plus sur Infineon Technologies infineon igbt7 e7 modules	Fiche technique	4En stock	202,52 €	Min. : 1 Mult. : 1		IGBT Silicon Modules	Dual	1.7 kV	1.7 V	750 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray
Modules IGBT PP IHM I FF1800R23IE7PBPSA1 Infineon Technologies 3: 1 146,55 € Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines	Fab. Numéro de référence FF1800R23IE7PBPSA1 Référence Mouser 726-FF1800R23IE7PBPS	Infineon Technologies	Modules IGBT PP IHM I En savoir plus sur Infineon Technologies infineon ff1800r23ie7 modules	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines	1 146,55 €	Min. : 3 Mult. : 3										Si	Tray
Modules IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module FF750R12ME7B11BPSA1 Infineon Technologies 10: 160,23 € Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines	Fab. Numéro de référence FF750R12ME7B11BPSA1 Référence Mouser 726-FF750R12ME7B11BP	Infineon Technologies	Modules IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module En savoir plus sur Infineon Technologies infineon igbt7 e7 modules	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines	160,23 €	Min. : 10 Mult. : 10		IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.5 V	750 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray

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