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2N7002KS6-T

Name: Rectron 2N7002KS6-T
Brand: Rectron
SKU: 583-2N7002KS6-T
Price: 0.37 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

583-2N7002KS6-T

N° de fab. :

2N7002KS6-T

Fab. :

Rectron

Description :

MOSFET

Fiche technique:

2N7002KS6-T Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,378 €	0,38 €
	0,256 €	2,56 €
	0,162 €	16,20 €
	0,10 €	50,00 €
	0,075 €	75,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,065 €	195,00 €
	0,056 €	336,00 €
	0,049 €	441,00 €
	0,044 €	1 056,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Rectron
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT363-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	250 mA
Rds On - Résistance drain-source:	5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	1.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	350 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Rectron
Configuration:	Dual
Transconductance directe - min.:	80 ms
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	11 ns
Délai d'activation standard:	7.5 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

2N7002KS6 Double N-Channel MOSFET

Rectron 2N7002KS6 Double N-Channel MOSFET features a sensitive gate trigger current and low holding current. This ESD-protected diode has an ESD rating of 2200V HBM. It is intended for use in general-purpose switching and phase control applications.