NDSH40120CDN

onsemi
863-NDSH40120CDN
NDSH40120CDN

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.
Plus d'informations
En savoir plus à propos de onsemi NDSH40120CDN

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3LD
Dual Anode Common Cathode
52 A
1.2 kV
1.36 V
123 A
2.39 uA
- 55 C
+ 175 C
1.2 kV
NDSH40120CDN
Tube
Marque: onsemi
Pd - Dissipation d’énergie : 217 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Nom commercial: EliteSiC
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

Codes de conformité
TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541590000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Corée, République de
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Diodes EliteSiC D3

Les diodes EliteSiC D3  d'onsemi  sont une solution pour les applications nécessitant un PFC et un redressement de la sortie pour des puissances élevées. La tension nominale maximale des D3  d'onsemi est de 1 200 V. Ces diodes sont disponibles en deux versions de boîtier – TO-247-2LD et TO-247-3LD – pour s'adapter à un large éventail de conceptions. Les diodes EliteSic D3 sont optimisées pour un fonctionnement à haute température avec une faible dépendance à la température de la résistance en série, assurant ainsi des performances constantes et fiables même dans des conditions extrêmes.

Diode Schottky au carbure de silicium (SiC) NDSH40120CDN

La diode Schottky au carbure de silicium (SiC) onsemi  NDSH40120CDN présente des performances supérieures de commutation et une plus grande fiabilité que le silicium. La diode onsemi est sans courant de récupération inverse, présente des caractéristiques de commutation indépendantes de la température et d'excellentes performances thermiques. Le système bénéficie du rendement le plus élevé, d'une fréquence de fonctionnement rapide, d'une densité de puissance accrue, d'une réduction des EMI et de la taille et du coût du système.

En stock: 1 102

Stock:
1 102 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
33 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
15,40 € 15,40 €
9,00 € 90,00 €
8,86 € 1 063,20 €

Une erreur inattendue est survenue.


Avez-vous une question ? Veuillez consulter le centre d’assistance.
Pour toute question concernant une commande spécifique, veuillez vous connecter à votre compte.

Si vous rencontrez d’autres problèmes, veuillez nous contacter au 800-346-6873 ou nous envoyer un e-mail à help@mouser.com.