MMIC basés sur HEMT au GaN

Les MMIC (Circuits intégrés monolithiques à micro-ondes) basés sur HEMT (Transistor à grande mobilité électronique) au GaN (nitrure de gallium) de Cree permettent d'obtenir des bandes passantes extrêmement larges au sein d'un boîtier à faible encombrement. Le GaN offre des propriétés supérieures à celles du silicium ou de l'arséniure de gallium, incluant une tension de claquage plus élevée, une plus grande vitesse de saturation des électrons ainsi qu'une conductivité thermique plus élevée. Les HEMT au GaN offrent également une densité de puissance plus élevée et des bandes passantes plus larges en comparaison avec des transistors au silicium ou à l'arséniure de gallium.
En savoir plus

Résultats: 5
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Fréquence de fonctionnement
Tension d'alimentation de fonctionnement
Courant d'alimentation de fonctionnement
Gain
Type
Style de montage
Technologie
P1dB - Point de compression
OIP3 - Point d'intersection du 3e ordre
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
MACOM Amplificateur RF GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 25 Watt
Fiche technique
10En stock
Min. : 1
Mult. : 1

20 MHz to 6 GHz 50 V 500 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 32 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM Amplificateur RF GaN MMIC Power Amp 2.5-6.0GHz, 25 Watt
Fiche technique
9En stock
Min. : 1
Mult. : 1

2.5 GHz to 6 GHz 28 V 1.2 A 24 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 26 dBm - 55 C + 150 C Tray
MACOM Amplificateur RF GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
Fiche technique
1En stock
1024/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

6 GHz to 12 GHz 28 V 2 A 34 dB Power Amplifiers Screw GaN 46.2 dBm 22 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM Amplificateur RF GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt
Fiche technique
2En stock
5024/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

20 MHz to 6 GHz 28 V 100 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 23 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM Amplificateur RF GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

13.75 GHz to 14.5 GHz 40 V 240 mA 24 dB Power Amplifiers Screw GaN - 15 dBm - 40 C + 85 C Tray