Transistors à résistance de polarisation NPN NSBCMXW

Les transistors à résistance de polarisation (BRT) NSBCMXW d'onsemi  sont conçus pour remplacer un seul dispositif et le réseau de polarisation à résistance externe associé. Ces BRT d'onsemi contiennent un seul transistor avec un réseau de polarisation monolithique composé de deux résistances : une résistance de base en série et une résistance de base-émetteur. Les BRT éliminent les composants individuels en intégrant tout dans un seul dispositif. L'utilisation d'un BRT peut réduire à la fois le coût du système et l'espace occupé par la carte. Les composants NSBCMXW sont logés dans un boîtier XDFNW3 offrant des performances thermiques supérieures. Ces transistors sont idéaux pour les applications montées en surface où l'espace sur la carte et la fiabilité sont précieux.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Configuration
Polarité du transistor
Résistance d'entrée type
Taux de résistance type
Style de montage
Package/Boîte
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Courant de collecteur continu
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
onsemi Transistors numériques NBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
2 925En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 293
: 3 000

Single NPN 10 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 35 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques NBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
3 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 300
: 3 000

Single NPN 22 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 60 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques NBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
2 995En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 300
: 3 000

Single NPN 4.7 kOhms 0.47 SMD/SMT DFN-3 35 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques NBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
2 989En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 299
: 3 000

Single NPN 4.7 kOhms 0.1 SMD/SMT DFN-3 80 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques NBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
3 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 300
: 3 000

Single NPN 47 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 80 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques NBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
5 503En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 550
: 3 000

Single NPN 10 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques NBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
3 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 300
: 3 000

Single NPN 22 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 60 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques NBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
3 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 300
: 3 000

Single NPN 4.7 kOhms 0.47 SMD/SMT DFN-3 35 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques NBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
3 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 300
: 3 000

Single NPN 4.7 kOhms 0.1 SMD/SMT DFN-3 80 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistors numériques NBRT, 50V, XDFNW3
Fiche technique
3 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 300
: 3 000

Single NPN 47 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 80 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape