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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Configuration
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement

onsemi Diodes Schottky SiC 1200V SiC SBD 40A
Fiche technique
125En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 1.2 kV 1.45 V 135 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSH40120ADN Tube
onsemi Diodes Schottky SiC SIC TO220 SBD 8A 650V
Fiche technique
1 316En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 49 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP0865A Tube
onsemi Diodes Schottky SiC SIC TO220 SBD 10A 650V
Fiche technique
757En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 56 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP1065A Tube
onsemi Diodes Schottky SiC 650V 16A SIC SBD
Fiche technique
263En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP1665A Tube
onsemi Diodes Schottky SiC 1200V SiC SBD 8A
Fiche technique
760En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 1.2 kV 1.45 V 68 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP08120A Tube
onsemi Diodes Schottky SiC SIC TO220 SBD 20A 650V
Fiche technique
764En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 650 V 1.5 V 105 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP2065A Tube
onsemi Diodes Schottky SiC 650V SiC SBD 30A
Fiche technique
132En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 30 A 650 V 1.5 V 150 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP3065A Tube

onsemi Diodes Schottky SiC Silicon Carbide Schottky Diode
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 2 500
Mult. : 2 500
Bobine: 2 500

SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Single 10 A 1.2 kV 1.45 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSD10120A Reel