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NVMFD027N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFD027N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFD027N10MCLT1G
Price: 1.92 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-VMFD027N10MCLT1G

N° de fab. :

NVMFD027N10MCLT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL

Fiche technique:

NVMFD027N10MCLT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	138 A
Rds On - Résistance drain-source:	35 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	11 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	164 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Dual
Temps de descente:	3.2 ns
Transconductance directe - min.:	27 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2.5 ns
Série:	NVMFD027N10MCL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	7 ns

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Fiche technique

NVMFD027N10MCLT1G Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD027N10MCL

Le MOSFET de puissance à double canal N NVMFD027N10MCL d'onsemi est un MOSFET de puissance automobile de 100 V, 28 A et 26 mΩ conçu pour des conceptions compactes et efficaces. Le dispositif homologué AEC-Q101 et compatible PHPP est logé dans un boîtier plat avec broches de 5 mm x 6 mm avec une option de flanc mouillable disponible pour une inspection optique améliorée. Le MOSFET onsemi NVMFD027N10MCL présente de hautes performances thermiques et une basse R_DS(on), pour limiter les pertes par conduction.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

En stock: 756

Stock:: 756

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23/04/2027 attendu
Délai usine :: 53

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Tarif est.:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,92 €	1,92 €
	0,929 €	9,29 €
	0,832 €	83,20 €
	0,661 €	330,50 €
	0,579 €	579,00 €
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	0,555 €	832,50 €

NVMFD027N10MCLT1G

Fab. : onsemi

Description : MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL

Caractéristiques

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Fiche technique

PCN

Produit et conformité commerciale

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