Modules IGBT XHP™ 2 et 3

Les modules IGBT XHP ™ 2 et 3 Infineon Technologies  sont conçus pour les applications à haute puissance, allant de 1,7 kV à 6,5 kV. Les modules Infineon sont idéaux pour les utilisations exigeantes telles que la traction, les CAV et les entraînements à moyenne tension. Ces composants offrent une conception évolutive, une fiabilité de pointe et la densité de puissance la plus élevée.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Package/Boîte
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Fiche technique
24En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Fiche technique
20En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Fiche technique
13En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Fiche technique
19En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray