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TAV1-551+

Name: Mini-Circuits TAV1-551+
Brand: Mini-Circuits
SKU: 139-TAV1-551+
Price: 11.82 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

139-TAV1-551+

N° de fab. :

TAV1-551+

Fab. :

Mini-Circuits

Description :

Transistors MOSFET RF MMIC AMPLIFIER

Fiche technique:

TAV1-551+ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	11,82 €	11,82 €
	11,81 €	118,10 €
	1,48 €	29,60 €
	1,44 €	144,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 500)
	1,41 €	705,00 €
	1,40 €	1 400,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Mini-Circuits
Catégorie du produit:	Transistors MOSFET RF
RoHS:
Polarité du transistor:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Courant continu de fuite:	15 mA
Vds - Tension de rupture drain-source:	3 V
Fréquence de fonctionnement:	45 MHz to 6 GHz
Gain:	20.9 dB
Alimentation en sortie:	20 dBm
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	MCLP-4
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Mini-Circuits
Transconductance directe - min.:	251 mS
Nombre de canaux:	1 Channel
Pd - Dissipation d’énergie :	360 mW
Type de produit:	RF MOSFET Transistors
Série:	TAV1
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	MOSFETs
Vgs - Tension grille-source:	+ 340 mV
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	260 mV

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Fiche technique

TAV1-551+ Fiche technique (PDF)

Test/Quality Data

Performance Data (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

TAV1-551+ Ultra-Low-Noise E-PHEMT Transistor

Mini-Circuits TAV1-551+ Ultra-Low-Noise E-PHEMT Transistor is a low noise, high gain device manufactured using E-PHEMPT technology enabling it to work with a single positive supply voltage. A small footprint saves space in dense layouts while providing low inductance, repeatable transitions, and excellent thermal contact to the PCB. It features an outstanding Noise figure, particularly below 2.5GHz, and when combining this noise figure with gain in a single device it makes it an ideal amplifier for multiple applications.